SIS888DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SIS888DN-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

PowerPAK® 1212-8S

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TA)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	420 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id	4.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Series	ThunderFET®
Power Dissipation (Max)	52W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® 1212-8S
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20.2A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIS888