SISF00DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SISF00DN-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

PowerPAK® 1212-8SCD Dual

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	TrenchFET® Gen IV
Package / Case	PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	69.4W (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SISF00