SISF02DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SISF02DN-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

PowerPAK® 1212-8SCD

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2650pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Series	TrenchFET® Gen IV
Package / Case	PowerPAK® 1212-8SCD
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30.5A (Ta), 60A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SISF02