SISH402DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SISH402DN-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

PowerPAK® 1212-8SH

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 30

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® 1212-8SH
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	19A (Ta), 35A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SISH402