SIZ320DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SIZ320DT-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

8-Power33 (3x3)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Series	PowerPAIR®, TrenchFET®
Package / Case	8-PowerWDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	16.7W, 31W
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc), 40A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIZ320