SIZ322DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SIZ322DT-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

8-Power33 (3x3)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 12.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20.1nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.35mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package	8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Series	TrenchFET® Gen IV
Package / Case	8-PowerWDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	16.7W (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIZ322