SIZ342ADT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SIZ342ADT-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

8-Power33 (3x3)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 12085

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	580pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.2nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.4mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	TrenchFET® Gen IV
Package / Case	8-PowerWDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIZ342