SIZF906DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SIZF906DT-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

8-PowerPair® (6x5)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TA)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	TrenchFET® Gen IV
Package / Case	8-PowerWDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	38W (Tc), 83W (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIZF906