SIZF920DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SIZF920DT-T1-GE3

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8-PowerPair® (6x5)

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual), Schottky
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	TrenchFET® Gen IV
Package / Case	8-PowerWDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIZF920