SPS01N60C3BKMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

SPS01N60C3BKMA1

Hersteller:

Paket:

PG-TO251-3-11

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

0.8A, 600V, N-CHANNEL MOSFET, T

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	PG-TO251-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	CoolMOS™
Power Dissipation (Max)	11W (Tc)
Package / Case	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	800mA (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk