SQJ202EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SQJ202EP-T1_GE3

Hersteller:

Paket:

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	975pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package / Case	PowerPAK® SO-8 Dual
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	27W, 48W
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A, 60A
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQJ202