SQS405ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SQS405ENW-T1_GE3

Hersteller:

Paket:

PowerPAK® 1212-8

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2650 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 8 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	39W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® 1212-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQS405