SQW61N65EF-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SQW61N65EF-GE3

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Paket:

TO-247AD

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7379 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	344 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 32A, 10V
Supplier Device Package	TO-247AD
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	Automotive, AEC-Q101, E
Power Dissipation (Max)	625W (Tc)
Package / Case	TO-247-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	62A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Package	Tube
Base Product Number	SQW61