SSM3J117TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

SSM3J117TU,LF

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UFM

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MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM

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Operating Temperature	150°C
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280 pF @ 15 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	117mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package	UFM
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	U-MOSII
Power Dissipation (Max)	500mW (Ta)
Package / Case	3-SMD, Flat Leads
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SSM3J117