SSM3J372R,LXHF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

SSM3J372R,LXHF

Hersteller:

Paket:

SOT-23F

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

AECQ MOSFET PCH -30V -6A SOT23F

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Operating Temperature	150°C
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.2 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package	SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI
Power Dissipation (Max)	1W (Ta)
Package / Case	SOT-23-3 Flat Leads
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Ta)
Vgs (Max)	+6V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)