SSM3K16FV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

SSM3K16FV,L3F

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Paket:

VESM

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Datenblatt:

Beschreibung:

PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR

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Operating Temperature	150°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9.3 pF @ 3 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 10mA, 4V
Supplier Device Package	VESM
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 100µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	150mW (Ta)
Package / Case	SOT-723
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100mA (Ta)
Vgs (Max)	±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V
Package	Tape & Reel (TR)