SSM5G10TU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

SSM5G10TU(TE85L,F)

Hersteller:

Paket:

UFV

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 40

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	Schottky Diode (Isolated)
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.4 nC @ 4 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	213mOhm @ 1A, 4V
Supplier Device Package	UFV
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	U-MOSIII
Power Dissipation (Max)	500mW (Ta)
Package / Case	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.5A (Ta)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SSM5G10