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SSM5N16FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

SSM5N16FU,LF

Paket:

USV

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE MOS

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature 150°C
FET Feature -
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9.3pF @ 3V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 10mA, 4V
Supplier Device Package USV
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 100µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Series -
Package / Case 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 200mW (Ta)
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Ta)
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SSM5N16