SSM6J401TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

SSM6J401TU,LF

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Paket:

UF6

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6

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Operating Temperature	150°C
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	730 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	73mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package	UF6
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	500mW (Ta)
Package / Case	6-SMD, Flat Leads
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.5A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SSM6J401