SSM6J505NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

SSM6J505NU,LF

Hersteller:

Paket:

6-UDFNB (2x2)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37.6 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package	6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Series	U-MOSVI
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta)
Package / Case	6-WDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Ta)
Vgs (Max)	±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SSM6J505