SSM6N55NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

SSM6N55NU,LF

Hersteller:

Paket:

6-µDFN (2x2)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package	6-µDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	-
Package / Case	6-WDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	1W
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SSM6N55