SSM6N951L,EFF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

SSM6N951L,EFF

Hersteller:

Paket:

6-TCSPA (2.14x1.67)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

SMALL SIGNAL MOSFET RDSON: 4.4MO

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 9285

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package	6-TCSPA (2.14x1.67)
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Series	-
Package / Case	6-SMD, No Lead
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	-
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SSM6N951