STB7ANM60N

STMicroelectronics

Produkt-Nr.:

STB7ANM60N

Hersteller:

Paket:

D2PAK

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	363 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package	D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
Power Dissipation (Max)	45W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Tc)
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	STB7