STB80NF55L-08-1

STMicroelectronics

Produkt-Nr.:

STB80NF55L-08-1

Hersteller:

Paket:

I2PAK

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

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Operating Temperature	175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package	I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V
Series	STripFET™ II
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Vgs (Max)	±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Package	Tube
Base Product Number	STB80N