STD10N60M2

STMicroelectronics

Produkt-Nr.:

STD10N60M2

Hersteller:

Paket:

DPAK

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package	DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	MDmesh™ II Plus
Power Dissipation (Max)	85W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.5A (Tc)
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	STD10