STHU32N65DM6AG

STMicroelectronics

Produkt-Nr.:

STHU32N65DM6AG

Hersteller:

Paket:

HU3PAK

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 77

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2211 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52.6 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	97mOhm @ 18.5A, 10V
Supplier Device Package	HU3PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max)	320W (Tc)
Package / Case	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	37A (Tc)
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)