STP18NM60ND

STMicroelectronics

Produkt-Nr.:

STP18NM60ND

Hersteller:

Paket:

TO-220

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 13A TO220

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 174

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1030 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	FDmesh™ II
Power Dissipation (Max)	110W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13A (Tc)
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	STP18