STP1N105K3

STMicroelectronics

Produkt-Nr.:

STP1N105K3

Hersteller:

Paket:

TO-220

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO220

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	180 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11Ohm @ 600mA, 10V
Supplier Device Package	TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1050 V
Series	SuperMESH3™
Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.4A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	STP1N