STP80N6F6

STMicroelectronics

Produkt-Nr.:

STP80N6F6

Hersteller:

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TO-220

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Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 110A TO220

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	122 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Power Dissipation (Max)	120W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	110A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	STP80N