STS6P3LLH6

STMicroelectronics

Produkt-Nr.:

STS6P3LLH6

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8-SOIC

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 6A 8SO

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1450 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package	8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	DeepGATE™, STripFET™ VI
Power Dissipation (Max)	2.7W (Ta)
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	STS6P3