STU11N65M2

STMicroelectronics

Produkt-Nr.:

STU11N65M2

Hersteller:

Paket:

TO-251 (IPAK)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 7A IPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	410 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	670mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	MDmesh™ II Plus
Power Dissipation (Max)	85W (Tc)
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Tc)
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	STU11