STW56N65DM2

STMicroelectronics

Produkt-Nr.:

STW56N65DM2

Hersteller:

Paket:

TO-247-3

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 48A TO247

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	88 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 24A, 10V
Supplier Device Package	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	MDmesh™ DM2
Power Dissipation (Max)	360W (Tc)
Package / Case	TO-247-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	48A (Tc)
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	STW56