TK4P60D,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

TK4P60D,RQ

Hersteller:

Paket:

DPAK

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(

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Operating Temperature	150°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package	DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	100W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Ta)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)