TK8Q65W,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

TK8Q65W,S1Q

Hersteller:

Paket:

I-Pak

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 5

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	570 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	670mOhm @ 3.9A, 10V
Supplier Device Package	I-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 300µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	DTMOSIV
Power Dissipation (Max)	80W (Tc)
Package / Case	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.8A (Ta)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	TK8Q65