TP65H150BG4JSG-TR

Transphorm

Produkt-Nr.:

TP65H150BG4JSG-TR

Hersteller:

Paket:

8-PQFN (5x6)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 3953

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	400 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.9 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 10A, 6V
Supplier Device Package	8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 500µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	SuperGaN®
Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
Mfr	Transphorm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Vgs (Max)	±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V
Package	Tape & Reel (TR)