TPH1R306PL1,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

TPH1R306PL1,LQ

Hersteller:

Paket:

8-SOP Advance (5x5.75)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 9850

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	175°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	91 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.34mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	U-MOSIX-H
Power Dissipation (Max)	960mW (Ta), 210W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)