TPH2R003PL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

TPH2R003PL,LQ

Hersteller:

Paket:

8-SOP Advance (5x5)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 12113

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	175°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6410 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	86 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 500µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	U-MOSIX-H
Power Dissipation (Max)	830mW (Ta), 116W (Tc)
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	TPH2R003