TPH2R506PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

TPH2R506PL,L1Q

Hersteller:

Paket:

8-SOP Advance (5x5)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP

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Operating Temperature	175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5435 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Supplier Device Package	8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 500µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	U-MOSIX-H
Power Dissipation (Max)	132W (Tc)
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	TPH2R506