TPH3208LDG

Transphorm

Produkt-Nr.:

TPH3208LDG

Hersteller:

Paket:

3-PQFN (8x8)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 150

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 8 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 13A, 8V
Supplier Device Package	3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 300µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	96W (Tc)
Package / Case	3-PowerDFN
Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
Mfr	Transphorm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Vgs (Max)	±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube