TPH4R008QM,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

TPH4R008QM,LQ

Hersteller:

Paket:

8-SOP Advance (5x5.75)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 4934

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	175°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5300 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 43A, 10V
Supplier Device Package	8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 600µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	U-MOSIX-H
Power Dissipation (Max)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	86A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)