TRS3E65H,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

TRS3E65H,S1Q

Hersteller:

Paket:

TO-220-2L

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

G3 SIC-SBD 650V 3A TO-220-2L

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 400

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	199pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-220-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr	45 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	TO-220-2
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.35 V @ 3 A
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tube
Operating Temperature - Junction	175°C
Current - Average Rectified (Io)	3A