TSM220NB06CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produkt-Nr.:

TSM220NB06CR RLG

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8-PDFN (5x6)

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1454 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package	8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	3.1W (Ta), 68W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Taiwan Semiconductor Corporation
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A (Ta), 35A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	TSM220