TSM250N02DCQ RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produkt-Nr.:

TSM250N02DCQ RFG

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6-TDFN (2x2)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Standard
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	775pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package	6-TDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Series	-
Package / Case	6-VDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	620mW (Tc)
Mfr	Taiwan Semiconductor Corporation
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.8A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	TSM250