TSM70N600CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produkt-Nr.:

TSM70N600CH C5G

Hersteller:

Paket:

TO-251 (IPAK)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	743 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.6 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package	TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	700 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Taiwan Semiconductor Corporation
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	TSM70