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UPA2727UT1A-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

Produkt-Nr.:

UPA2727UT1A-E1-AY

Paket:

8-DFN3333 (3.3x3.3)

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 16A 8DFN

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1170 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series -
Package / Case 8-VDFN Exposed Pad
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta)
Package Bulk