UPA2800T1L-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

Produkt-Nr.:

UPA2800T1L-E1-AY

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8-DFN3333 (3.3x3.3)

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MOSFET N-CH 30V 17A 8DFN

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FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.3mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package	8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Package / Case	8-VDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17A (Ta)
Package	Bulk