UPA2803T1L-E2-AY

Renesas Electronics America Inc

Produkt-Nr.:

UPA2803T1L-E2-AY

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8-DFN3333 (3.3x3.3)

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MOSFET N-CH 20V 20A 8DFN

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FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2450 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 4 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8mOhm @ 20A, 4.5V
Supplier Device Package	8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	-
Package / Case	8-VDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Ta)
Package	Bulk