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VMO580-02F

IXYS

Produkt-Nr.:

VMO580-02F

Hersteller:

IXYS

Paket:

Y3-Li

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2750 nC @ 10 V
Mounting Type Chassis Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 430A, 10V
Supplier Device Package Y3-Li
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) -
Package / Case Y3-Li
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 580A (Tc)
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Bulk
Base Product Number VMO580