VP2206N3-G

Microchip Technology

Produkt-Nr.:

VP2206N3-G

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TO-92-3

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Beschreibung:

MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	450 pF @ 25 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 10mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	740mW (Tc)
Package / Case	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Microchip Technology
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	640mA (Tj)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Package	Bag
Base Product Number	VP2206