VS-1EFH01-M3/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Produkt-Nr.:

VS-1EFH01-M3/I

Hersteller:

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DO-219AB (SMF)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB

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Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	16 ns
Capacitance @ Vr, F	-
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	DO-219AB (SMF)
Current - Reverse Leakage @ Vr	2 µA @ 100 V
Series	FRED Pt®
Package / Case	DO-219AB
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	930 mV @ 1 A
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100 V
Package	Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction	-65°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)	1A
Base Product Number	1EFH01